室温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石纳米核的热力学

在该文献中,通过在室温(25℃)下增强的RF脉冲激光沉积(RF?PEPLD)制备立方氮化硼(c?BN)膜。薄膜沉积:分析了激光能量密度,衬底负极化和涂层时间对射频功率立方氮化硼薄膜生长的影响,以及形成过程和机理。RF-PEPLD在室温下沉积立方氮化硼薄膜的性能
脉冲高能激光(波长= 532nm,频率= 1Hz,脉冲宽度= 10纳秒)用于在室温下照射高纯度烧结的六方氮化硼(h 2 BN)靶。BN膜沉积在单晶硅衬底上。
傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(STM)的结果表明,基板上的BN膜具有高的立方相含量。均匀的颗粒和密集的阵列晶体形状是规则的,有四个角和六边形。
通过分析各种沉积参数在薄膜生长中的作用,已经证明了三种沉积参数:衬底激光能量密度,RF功率和负偏压是生长的重要因素。室温下立方氮化硼薄膜的形成过程和机理,以及基于此的立方氮化硼薄膜及其初步解释|文献| J-GLOBAL
高能粒子形成立方氮化硼
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允许来源:2003年东宝大学硕士论文


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